Čínský výrobce stejnosměrného kondenzátoru pro napájecí zdroje – IGBT odlehčovací kondenzátor s metalizovanou fólií – CRE

Čínský výrobce stejnosměrného kondenzátoru pro napájecí zdroje – metalizovaná fólie IGBT odlehčovací kondenzátor – CRE Featured Image

Stručný popis:

Detail produktu

Štítky produktu

Související video

Zpětná vazba (2)

Víme, že se nám daří pouze tehdy, pokud dokážeme zaručit naši kombinovanou cenovou konkurenceschopnost a zároveň výhodnou kvalituPřizpůsobený kondenzátor AC filtru , Globální dodavatel kondenzátorů , DC napájecí kondenzátor, Vážíme si vašeho dotazu, Pro více podrobností nás prosím kontaktujte, odpovíme vám ASAP!

Čínský výrobce stejnosměrného kondenzátoru pro napájecí zdroje - metalizovaná fólie IGBT odlehčovací kondenzátor – CRE Detail:

Technická data

Rozsah provozních teplot	Max.Provozní teplota.,Nahoře,max.: +105℃Teplota horní kategorie: +85℃Teplota spodní kategorie: -40℃
kapacitní rozsah	0,1μF～5,6μF
Jmenovité napětí	700V.DC～3000V.DC
Kap.tol	±5 %(J) ;±10 %(K)
Vydržet napětí	1,5U DC/10S
Faktor rozptylu	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Izolační odpor	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (při 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (při 20℃ 100V.DC 60S)
Odolá úderovému proudu	具体见规格表
Zpomalení hoření	UL94V-0
Délka života	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Referenční standard	IEC61071;GB/T17702;

Napětí			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Rozměr (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24.5	27.5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33


Napětí			Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Rozměr (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Napětí			Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Napětí			Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Napětí			Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Napětí			Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Vlastnosti

1. Plast, utěsněný pryskyřicí;

2. Vedení pocínovaných měděných vložek, snadná instalace pro IGBT;

3. Odolnost vůči vysokému napětí, nízkému tgδ, nízkému nárůstu teploty;

4. nízké ESL a ESR;

5. Vysoký pulzní proud.

Využitím vnitřních konstrukcí s nízkou indukčností, volitelných lisovaných pryskyřičných pouzder a přizpůsobených zakončení jsou řady SMJ-P navrženy pro rychlé přepínání IGBTS a mohou sloužit jako tlumiče a vysokoproudé vysokofrekvenční vstupní filtry.

Detailní obrázky produktu:

Průvodce souvisejícími produkty:

Máme mnoho vynikajících zaměstnanců, kteří jsou dobří v marketingu, kontrole kvality a řešení různých obtížných problémů ve výrobním procesu pro Čínu Výrobce DC-Link kondenzátoru pro napájecí zdroje - Metalizovaná fólie IGBT Snubber kondenzátor – CRE , Produkt bude dodávat všem svět, jako jsou: Johor, Makedonie, Srí Lanka, Pokud si z jakéhokoli důvodu nejste jisti, který produkt si vybrat, neváhejte nás kontaktovat a my vám rádi poradíme a pomůžeme.Tímto způsobem vám poskytneme všechny znalosti potřebné pro nejlepší volbu.Naše společnost přísně dodržuje provozní politiku "Přežijte dobrou kvalitou, rozvíjejte se tím, že si udržíte dobrý kredit."Vítáme všechny staré i nové klienty, aby navštívili naši společnost a popovídali si o podnikání.Hledali jsme stále více zákazníků, abychom vytvořili slavnou budoucnost.

Axiální odlehčovací filmový kondenzátor