Tlumicí kondenzátor pro IgBT z továrny - Nízkoztrátový dielektrikum z polypropylenové fólie Tlumicí kondenzátor pro IGBT aplikace – CRE

Tlumicí kondenzátor pro IgBT z továrny - Nízkoztrátový dielektrikum z polypropylenové fólie Tlumicí kondenzátor pro IGBT aplikace – obrázek CRE

Stručný popis:

Detaily produktu

Štítky produktů

Související video

Zpětná vazba (2)

Inovace, excelentnost a spolehlivost jsou základními hodnotami naší společnosti. Tyto principy dnes mnohem více než kdy jindy tvoří základ našeho úspěchu jako mezinárodně aktivní středně velké firmy.Kondenzátor Dc-Link pro automobilové aplikace , Kondenzátory Dc-Link v měničích výkonu , Vysokonapěťový polypropylenový filmový kondenzátorPrioritou je pro nás kvalita a spokojenost zákazníků, a proto dodržujeme přísná opatření kontroly kvality. Máme vlastní testovací zařízení, kde jsou naše výrobky testovány v každém aspektu v různých fázích zpracování. Díky nejmodernějším technologiím umožňujeme našim zákazníkům výrobu na míru.

Tlumicí kondenzátor pro IgBT z továrny - Nízkoztrátový dielektrikum z polypropylenové fólie Tlumicí kondenzátor pro IGBT aplikace – CRE Detail:

Řada SMJ-P

Rozsah jmenovitého napětí: 1000 V DC až 2000 V DC
Rozsah kapacity: 0,1 uF až 3,0 uF
Montážní rozteč: 22,5 mm až 48 mm
Konstrukce: Metalizovaný polypropylenový dielektrikum, vnitřní sériové zapojení
Použití: Ochrana IGBT, rezonanční obvody

Samoopravitelné, suché tlumicí kondenzátorové prvky jsou vyrobeny ze speciálně profilované, vlnově řezané metalizované PP fólie, která zajišťuje nízkou vlastní indukčnost, vysokou odolnost proti protržení a vysokou spolehlivost. Odpojení přetlakem není nutné. Vršek kondenzátoru je utěsněn samozhášivým ekologickým epoxidem. Speciální konstrukce zajišťuje velmi nízkou vlastní indukčnost.

IMG_0397.HEIC

Tabulka specifikací

Napětí	Un 700 V DC, Urms 400 V AC; Us 1050 V
	Rozměr (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR při 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms při 40℃ při 100 kHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4,7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2,8	30	200	1600	33

Napětí	Un 1000 V DC, Urms 500 V AC; Us 1500 V
	Rozměr (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4,7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2,8	24	400	2240	32

Napětí	Un 1200 V DC, Urms 550 V AC; Us 1800 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800	30
4,7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Napětí	Un 1700 V DC, Urms 575 V AC; Us 2250 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3,8	26	600	1980	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Napětí	Un 2000 V DC, Urms 700 V AC; Us 3000 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Napětí	Un 3000 V DC, Urms 750 V AC; Us 4500 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Fotografie detailů produktu:

Související průvodce produkty:

Naším cílem je „zákaznicky přívětivý, kvalitní, integrativní a inovativní“. „Pravda a poctivost“ jsou naším ideálním managementem pro tovární výrobu tlumicích kondenzátorů pro IgBT - nízkoztrátové dielektrikum z polypropylenové fólie. Tlumicí kondenzátor pro IGBT aplikace – CRE. Produkt bude dodáván do celého světa, například do: Ghany, Haiti, Brasílie. Naše produkty jsou široce uznávané a důvěryhodné pro uživatele a dokáží uspokojit neustále se měnící ekonomické a sociální potřeby. Vítáme nové i staré zákazníky ze všech společenských vrstev, aby nás kontaktovali pro budoucí obchodní vztahy a vzájemný úspěch!

Banka filmových kondenzátorů pro střídavý proud